مشخصات اس اس دی سامسونگ مدل MZ-V7S250BAM 970 EVO Plus 500GB
حداکثر تحمل شوک
1500G/0 5ms
دمای ذخیره سازی
40- تا 85- درجه سانتیگراد
دمای عملیاتی
0 تا 70 درجه سانتیگراد
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی
3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی
3200 مگابایت بر ثانیه
ظرفیت
500 گیگابایت,250 گیگابایت,
فرم فاکتور
M 2 2280
مزایا
500 G & 0 5 ms Half sine استفاده از جدیدترین کنترلر (V-NAND Phoenix) و نسل جدید تکنولوژی TurboWrite,NVMe 1 3 مقاومت در برابر شوک 1,کیفیت ساخت و ماندگاری بالا قابلیت رمزگذاری 256 بیتی AES قابلیت پشتیبانی از TRIM و S M A R T دارای رابط پر سرعت PCIe Gen 3 0 x4
مقاوم در برابر شوک
✔
مقاومت در برابر لرزش
✔
میانگین عمر - MTBF
1 500 000 ساعت
نوع رابط
PCIe Gen3x4
نوع فلش
Samsung V-NAND 3-bit MLC
رنگ
-
