
اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل EVO Plus 990 MZ-V9S4T0BW
- 0 دیدگاه
- 0 پرسش
ویژگیها
تغییرات
قیمت
کمترین
قیمت
میانگین
قیمت
مشخصات
ابعاد
80.15x22.15x2.38 میلیمتر
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
مقاومت در برابر شوک تا 1500 جی به مدت 0.5 میلیثانیه
سایر قابلیتها
پشتیبانی از S.M.A.R.T / الگوریتم جمعاوری دادههای بلااستفاده / رمزگذاری AES 256 بیتی، TCG Opal، IEEE1667 / پشتیبانی از حالت کممصرف در حالت غیرفعال / حافظه کش HMB
سرعت خواندن ترتیبی
تا 7,250 مگابایت در ثانیه MB/s
سرعت خواندن تصادفی
حداکثر 1٬050٬000 IOPS IOPS
سرعت نوشتن ترتیبی
تا 6,8300 مگابایت در ثانیه MB/s
سرعت نوشتن تصادفی
حداکثر 1٬400٬000 IOPS IOPS
میانگین عمر
1,500,000 ساعت
نوع حافظه فلش
3D NAND
وزن
9 گرم
امتیاز و دیدگاه کاربران
0 دیدگاه
پرسشها
0 پرسش



















